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招聘

崗位

專任副研究員1人

崗位

職責

1.完成集成電路技術集成攻關大平臺相關任務；

2.參與高性能、高可靠fpga設計、開發(fā)、測試評估等相關工作；

3.申報和承擔橫向/縱向科研課題；

4.在相關領域發(fā)表高水平研究論文；

招聘

條件

1.年齡一般在40周歲以下，博士學位；

2.需具有副高級專業(yè)技術職務任職資格或海外人員達到相應水平；或任務特需的，能勝任崗位職責的具有中級專業(yè)技術職務任職資格人員也可應聘，獲聘后按中級專業(yè)技術職務任職資格認定；

3.以第一作者/通訊作者發(fā)表過高水平期刊論文和國際會議論文；

4.掌握并能熟練運用fpga布局布線工具、器件仿真工具、電路功能仿真工具，具有較強的輻射效應分析與測試的技術功底；

5.具有先進工藝fpga的測試與開發(fā)經(jīng)驗；

6.熟悉輻射實驗技術，具有fpga輻射效應測試技術以及fpga輻射效應方向相關成果的優(yōu)先。

招聘

范圍

校內(nèi)、外

崗位

待遇

與學校簽訂勞動合同，待遇面議。

應聘

程序

應聘人員需提交個人簡歷并提供學歷、學位、職稱等證書的復印件，通過電子郵件發(fā)送至bowenhan@fudan.edu.cn。材料審核通過者，將通知參加面試。

聯(lián)系

方式

聯(lián)系人：韓老師

聯(lián)系方式：，郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名+高校人才網(wǎng)。

截止

時間

招滿即止

來源：